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型号 PSMN102-200Y,115
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
PSMN102-200Y,115 PDF
代理商 PSMN102-200Y,115
标准包装 1
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 21.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 102 毫欧 @ 12A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 30.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1568pF @ 30V
功率 - 最大 113W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商设备封装 LFPAK，Power-SO8
包装 标准包装
其它名称 568-6544-6
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